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在半导体产业中，应用在二氧化硅及氮化硅的电浆蚀刻（plasma etching）中，也是一种制冷剂，名称为R-23或HFC-23，因为其不含氯，不会造成臭氧层破洞，有时会用来会取代造成臭氧层破洞的三氟氯甲烷（cfc-13）。